GH4169高温合金的应力松脱性能

cc γ 矩阵内的共格、盘状、bct（DO 22型的大晶格）一组 γ” 盐常为（Ni 3 Nb）的盐常为（Ni 3 Nb）分别不具备大约 30 和 10 nm 的的大过cm和总重量 ，统筹相合干快速反应硬化和一组精进的贡献[11]，[12]。非共格平衡斜方 (Ni 3 Nb) δ 相合析常为稳定到大约 1010 °C，高于此密度 δ 相合将被溶解。δ相合在弯曲加工操作过程中所起着不可或缺的作用，以提高抑制熔体崩落精度。在请求权操作过程中所，还会起因凝聚的可不球形 fcc (Ni 3 (Al,Ti)) L1 2 γ' 盐，其的大过含水在 10 到 40 nm相互间[11]。γ'对 GH4169 数值的贡献被普遍认为是成比例的。主要是因为析常为不具备较差的反相合界能（APB γ″ ≈ 25APB γ′）[13]。 先前的研究者发现，提高的 Nb/(Ti + Al) 原子溶解度比有利于 γ″ 的析[9], 并且因为矩阵中所所含的 γ″ 和 γ′ 的大小分别大约为 0.13 和 0.04 [14]。 在 650 ℃以上直至用到时，γ”析常为会转变为 δ 相合[15] , [16]。

GH4169氧化常为经960℃固溶退火 和缩合请求权处置后的光学仪器组织起来如上图1示意图。氧化常为的石墨烯大小在 5-20 μm 各地区，的大过石墨烯大小大约为 10 μm。明确石墨烯大小的原理遵循 ASTM E112-96 [17] 。氧化常为的 OM 光学仪器拍照证明碳化常为在可控和晶界处析。晶界析常为为δ相合。

上图 1。看单单GH4169 氧化常为光学仪器组织起来的OM 拍照。

上图 2看单单了熔体崩落使用寿命对 GH4169 氧化常为熔体的依赖性。从上图中所可以看单单，熔体崩落使用寿命随着密度和熔体的提高而减少。

上图 2。GH4169 氧化常为的熔体崩落使用寿命对熔体的依赖性。

从上图 2可以看单单，Larson-Miller 变量可以用来得单单熔体崩落使用寿命。通过计算机模拟得到GH4169氧化常为的熔体崩落使用寿命经验公式，可问到为： LMP = ( T + 273)(log t + C ) × 10 -3，其中所T为试验中密度，t为熔体裂痕使用寿命，C为常数。上图 3看单单了 GH4169 氧化常为的 Larson-Miller 变量 (LMP) 的相合关性。上图3中所的数据 与准则中所给单单的数据不具备可比性。利用这个结果可以很不易地得单单GH4169氧化常为的熔体崩落使用寿命。

上图 3。GH4169 氧化常为的吉尔-威廉姆斯变量与更快熔体崩落试验中的相合关性。

700 ℃和550 ℃熔体崩落探针的SEM极难分别如上图4、上图5示意图。如上图 4 （a 和 b）示意图，700 °C 熔体崩落探针的极难上图看单单了塑性崩落Mode。550 °C 熔体崩落探针的极难如上图 5 （a 和 b）示意图，看单单单单脆性崩落Mode。

上图 4。GH4169 氧化常为在 700 °C、500 MPa (a) 和 700 °C、600 MPa (b) 试验中中状况下的 SEM 极难。

上图 5。GH4169 氧化常为在 550 °C、1000 MPa (a) 和 550 °C、1050 MPa (b) 试验中中状况下的 SEM 极难上图。

精进相合γ”及其平衡相合δ与晶体特征不尽相同，但均伦于相合同的Ni 3 Nb成分。δ相合在晶界析必然消耗必需的Nb元素。这造成其在边界附近的溶解度减少。由于 Nb 是 γ” 的主要产生元素，其消耗可以提高后续规格双请求权操作过程中所 γ” 相合的析量。δ相合的产生造成γ”相合贫化四区的产生[4]。上图 6看单单了 δ 相合附近的 γ″ 相合枯竭四区。可以看单单，塑性相合对极低的γ”相合贫化四区在零下美国海军陆战队时可作为微塑性四区。随着晶界处析必需的δ相合，高熔体集中所状态可被微塑性四区以外缓和。在 700 °C 时，高于GH4169 氧化常为 的 630 °C 的等数值密度[18] ，在熔体崩落试验中在此期间晶界成为偏重位置。由于 γ″ 相合贫化四区的存在，塑性弯曲 起因在晶界。随着熔体集中所的进一步提高，微外露从δ相合与晶界的非共格编辑器心灰意冷。在略低于等数值密度的 550 °C 下，石墨烯内部比其边界更坚固。在零下和熔体状况下，石墨烯都会起因侧向和孪晶弯曲。由于相合邻石墨烯的弯曲一段距离不恰当，熔体集中所较大的晶界成为熔体崩落破坏操作过程中所最偏重的以外。

上图 6。TEM 光学仪器拍照看单单了 δ 相合附近的 γ″ 相合枯竭四区。

从SEM拍照（上图7）可以看单单，棒状或浅黄色δ相合从晶界分离单单来，产生孔洞。上图 7（a 和 c）证明，崩落仍为沿晶，外露主要在 δ 相合粒状处心灰意冷，随后与附近外露起因聚结。因此，GH4169氧化常为的熔体崩落挫伤值得注意δ相合与晶界的非共格编辑器开始，最终相合互连接产生晶间崩落。晶界无论如何是造成了挫伤的可能。

上图 7。GH4169 氧化常为在 550 °C、1000 MPa (a, b) 和 550 °C、1050 MPa (c, d) 试验中中状况下的 SEM 光学仪器拍照。

沿晶界析的 δ 相合对 GH4169 氧化常为的熔体崩落精度的影响仍未在文献资料中所详细报道。无δ相合探针的熔体崩落使用寿命和熔体崩落伸长赴援分别是含δ相合探针的2倍和4～5倍[19]。缠绕直至被普遍认为是GH4169氧化常为的塑性弯曲必要之一。由于熔体崩落试验中的同义密度处于中所间（T / T m ≈ 0.6），能放力学在石墨烯内被诱导。除了上述的缠绕和能放必要外，晶界旋转 在熔体裂痕试验中中在此期间也被诱导。因此，无δ相合探针的熔体崩落伸长赴援是有δ相合探针的四五倍。由于δ相合沿晶界析，在熔体崩落试验中中所晶界旋转仍未真正诱导。由于 δ 相合和晶界相互间的非共格编辑器，极难上图看单单了不具备 δ 相合的探针的晶间崩落Mode。因此，在熔体崩落弯曲操作过程中所，δ相合作为晶界旋转的天然屏障，可以减少快速反应赴援。的熔体裂痕。在熔体裂痕外露心灰意冷的早期，δ相合作为外露形核，在熔体裂痕外露构建操作过程中所，δ相合阻碍能放革新运动和晶界旋转，减少见下文振幅。

如上图7（b 和 d）示意图，并不相同于崩落探针弯曲量规以外的定量特征证实了机械孪晶的存在。代表性的 TEM 光学仪器组织起来如上图8示意图，(0 0 1)[1 -1 0]。选四区偏振光上图(SADP) 证明了姐姐的存在，如上图8 (b) 示意图。上图9 （a）中所的大晶格点的（0 1 1）[1 0 0] SADP证明一组相合的存在。TEM拍照看单单了两个不尽相同一段距离的弯放，如上图9（b）示意图。上图 9 (c)，能放和析常为的相合互作用。这一证词支持这样一个事实，即熔体老化限制了平行侧向并以侧向线的形式引来不不规则弯曲。由于这种氧化常为的层错能低，它可以防止能放的对角侧向。上图 9 (b) 看单单了在弯放内不具备相对来说来说能放的尖锐平面侧向。这证明弯曲是高度不不规则的，主要仅限于弯放内。

上图 8。TEM 光学仪器拍照看单单了姐姐 (b) 的机械姐姐 (a) 和 (0 0 1)[1 -1 0] SADP。

上图 9。TEM光学仪器拍照看单单了的大晶格点的（0 1 1 ） [1 0 0] SADP（a），对角侧向（b）以及γ”相合和能放的相合互作用（c）。

在550 ℃密度和1050 MPa熔体的直至（2920 h）熔体请求权状况下，GH4169氧化常为的光学仪器组织起来不能明显改变。如上图10示意图，晶界的棒状相合仍为δ相合，石墨烯中所γ”析常为的大小为20nm。这证明盐不能粗化。根据前人的结果[20] ，在 680 ℃无熔体请求权1000 h 下，γ″析常为的大小大约为 100 nm，并不相同于粗化状况。γ”相合的粗化遵循 Lifshitz-Slyozov-Wagner (LSW) 理论的时间规律得单单，不具备大小扩散控制的生长。γ″析常为粗化的活化能被发现等于272 kJ/mol [3] ，这个值接近于铬扩散的活化能以铂计，为 257 KJ/mol。这有力地证明，γ”析常为粗化操作过程所受铬在可控中所的大小扩散控制。随着热暴露时间的提高，析常为的大小分数减少，析常为的的大过相距提高。伦于这些改变，析常为对能放侧向的阻碍作用减少。因此，在零下和熔体状况下，密度和熔体的下降都会更快γ”析常为的粗化，从而减少GH4169氧化常为的熔体崩落使用寿命。

上图 10。FESEM 光学仪器拍照看单单了 GH4169 氧化常为在 550 °C、1050 MPa 试验中中状况下2920 小时熔体请求权后的棒状 δ 相合 (a) 和 γ" 析常为 (b) 。

4 . 正确性

(1)变量用到得单单 GH4169 氧化常为的熔体崩落使用寿命：LMP = ( T + 273)(log t + C ) × 10 -3 , C = 25。

(2)GH4169氧化常为的熔体崩落挫伤从δ相合与晶界的非共格编辑器开始，最后相合互连接产生晶间崩落。在与衡熔体见下文下的崩落相合关的弯曲操作过程中所；δ相合作为能放革新运动和晶界旋转的天然屏障。这可以减少崩落操作过程中所的快速反应赴援。因此，通过适当减少晶界δ相合的甜度，可以有效地提高外露心灰意冷时间，延长零下熔体崩落使用寿命。

(3)在熔体崩落弯曲操作过程中所，γ″析常为粗化所受铬在可控中所的大小扩散控制。密度和熔体的下降更快了零下高熔体状况下γ”析常为的粗化。这造成GH4169氧化常为的熔体崩落使用寿命减少。

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